本文所介紹的功能，使用三極體也是可以的，但是實際應用中，多使用 mos 管，故本文多以 mos 管進行說明。
如圖，通過 nmos 的開關作用，完成對 led 的亮滅控制。此時 mos 管工作於截止區和可變電阻區。
控制端狀態
led0 為高電平
點亮 led
led0 為低電平
led熄滅
對於 nmos ，當 vgs = vg - vs > 0 時，nmos 導通；當 vgs = vg - vs < 0 時，nmos 斷開。
2.2.1 io 控制
pmos 在整個電路系統中，其中某一部分的電路上電通過控制中可以方便用於通斷控制。上圖的電路中，使用時需要注意的一點是 vcc_in 與控制斷的電平 pwr_con 要處於同一標準（eg：vcc_in = 3.3v；pwr_con 高電平 = 3.3v）。
控制端狀態
pwr_con 為高電平
pmos 斷開，vcc_out 無電壓輸出
pwr_con 為低電平
pmos 導通，vcc_out 有電壓輸出，vcc_in ≈ vcc_out
對於 pmos ，當 vgs = vg - vs < 0 時，pmos 導通；當 vgs = vg - vs > 0 時，pmos 斷開。
因為 mos 管的導通壓降是非常小的，所以在 rds 之上的能量損耗是比較少的。
2.2.2 nmos 控制 pmos
進一步地，上圖的電路可以擴充套件為下圖，pmos 的柵極通過 nmos 來控制。
拓展為此電路，針對 vcc_in 與 pwr_con 電壓就沒有強制的要求了。當 pwr_con 為高電平的時候，nmos 導通，pmos 的柵極被拉低到低電平，pmos 導通，vcc_out 有電壓輸出；反之，當 pwr_con 為低電平時，nmos 關斷，從而使 pmos 也斷開，這樣就完成了 vcc_in 輸出電壓到 vcc_out 的控制。
2.2.3 按鍵上電控制
上圖的電路，就可以完成所謂的按鍵開機的功能。
（1）按下 k1 按鍵，pmos 的柵極被拉低，vgs < 0，pmos 導通，vcc_out 有電壓輸出；
（2）vcc_out 有電壓輸出，按鍵按下時可完成對 mcu 的供電，然後軟體端通過 mcu 的 gpio 進而控制 nmos 的柵極，即 pwr_con 。先通過 key_det 檢測到按鍵動作，然後把 pwr_con 設定為高電平，nmos 導通，使得 pmos 也導通，這時候抬起按鍵，vcc_out 一端也有電壓穩定輸出，就實現了按鍵上電開機的功能。
此電路的二極體，功能是防止電壓反竄和 對mcu 的 gpio 的保護。
功能流程：
如果電路中需要實現邏輯非的功能，可以採用 mos 管（三極體）加上電阻來實現，如下圖所示：
控制端狀態
input 為高電平
output 為低電平
input 為低電平
output 為高電平
通過乙個 mos 管（三極體）加上兩個電阻，就可以實現非門的邏輯。
具體的應用可參考本文：再學 spi ——（一）spi片選訊號
在大多數的電池防反接電路中，常選擇壓降小的二極體（如：肖特基二極體）來完成，但是針對如 3.7v 鋰電池的應用場景，肖特基約為 0.2v 的壓降天然的造成了電池容量的浪費，而 mos 管導通的低壓降（vds）就有很大的優勢了。
如上圖所示，pmos 在此處的作用就是防止 vbus 存在時，ldo vin 端的電壓反竄到電池上。
原理分析：
（1）當 usb vbus 存在時，pmos 的柵極電壓 vg = 5v，源極電壓 vs = 3.7v（假設此時的電池電壓為 3.7v），vgs = 5 - 3.7 = 1.3v（大於0），此時 pmos 關斷，就起到了防止 vin 端電壓反竄的作用；
（2）當 usb vbus 不存在時，pmos 的柵極通過 10k 的電阻下拉到 gnd，因此柵極電壓 vg = 0v，源極電壓 vs = 3.7v（假設此時的電池電壓為 3.7v），電池通過 pmos 自身的寄生二極體使得 vs = 3.7v，所以 pmos 的導通電壓 vgs = 0 - 3.7 = -3.7v，pmos 導通，這樣就完成了電池電壓到 vin 端的輸入。
上圖的 ldo 電路，只要使能端 ldo_con 給乙個開啟訊號，輸出端 v_3v3 就可以穩定輸出 3.3v，c3、c4 為 ldo 的輸入輸出電容，一般大於 1uf（具體參考資料手冊取值）。
具體的應用可參考本文：電源防反接小結
在一些裝置中，如果兩個通過 io 連線的器件，某一時刻，乙個處於休眠，乙個處於掉電，這時候就會導致休眠的器件向掉電的器件灌入電流，為了完全杜絕此狀態下的電路竄入，可採取如下電路的設計（比如：i2c 的 sda 訊號）
原理分析：
m_data
s_data
導通狀態
方向高電平
高電平vgs = 0v，mos 管截止
m_data—>s_data
低電平低電平
vgs > 0v，mos 管導通
m_data—>s_data
s_data
m_data
導通狀態
方向高電平
高電平m_data 通過上拉電阻 r9 設定成高電平，mos 管截止
s_data—>m_data
低電平低電平
s_data = 0，nmos 的寄生二極體導通，進而使得 vgs > 0，mos 管導通，m_data 為低電平
s_data—>m_data
如上面兩個方向的**分析，這樣通過 nmos 就完成了乙個 io 雙向通訊的控制。（只能選擇 nmos，不可選擇 pmos，原因讀著可以自行分析一下）
（1） mos 實現：
在實際的應用中，常會遇到通訊的兩個晶元之間的電平不匹配的問題，這時候就需要通過外部的電路來完成電平匹配的工作（如：mcu 的電平為 3.3v，而外設的電平為 5v）。
原理分析：
3v3_data
5v_data
導通狀態
方向高電平
高電平vgs = 0v，mos 管截止
3v3_data—>5v_data
低電平低電平
vgs > 0v，mos 管導通
3v3_data—>5v_data
通過 3.3v 端高低電平的變化，使得 nmos 對應開關，就完成了 3.3v 電平到 5v 電平的轉換。
5v_data
3v3_data
導通狀態
方向高電平
高電平mos 管截止，3v3_data 通過上拉電阻 r12 設定成高電平
5v_data—>3v3_data
低電平低電平
5v_data= 0，nmos 的寄生二極體導通，進而使得 vgs > 0，mos 管導通，m_data 為低電平
5v_data—>3v3_data
反之，也完成了對 5v 裝置的資料的讀取。
注：此電路用三極體也可以實現同樣的功能，如下圖：
（2） 兩級 npn 實現：
如下圖所示，3.3v 與 5v 之間的電平轉換，也可以通過兩級的 npn 三極體來實現。
原理分析：
3v3_data
5v_data
導通狀態
方向高電平
高電平q10 導通，q9 截止，5v_data 端得到 5v 的高電平
3v3_data—>5v_data
低電平低電平
q10 截止，q9 導通，5v_data 端得到 低電平
3v3_data—>5v_data
以上為一些常用的 mos 管的實際應用電路，部分筆者已在實際中進行了驗證，如有不足之處，歡迎指正。
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