序言
mlc可以通過set fetures命令將mlc或者tlc轉換為slc模式，不知道那位有才人起名曰：pslc，應該是pseudo slc的縮寫，濃濃的歧視味道撲面而來。
儘管很多廠商已經開始使用此模式供貨，但目前為止尚未見到任何關於mlc轉為slc之後的有詳實測試資料的關於擦寫次數以及可靠性評估文章。
兵哥希望用真正的測試資料來驗證mlc轉為slc之後，是否與理論上推測的接近。
mlc可以轉slc的理論依據
mlc與slc的區別就在於乙個cell中存幾個bit的資料，mlc存兩個bit，slc存1個bit。對於mlc而言lsb對應的就是slc模式頁，也就是我們常說的lower page，如果僅僅使用lower page而不使用upper page，如下圖所示，每次只將lower page的「1」變成「0」，豈不是最快且需要改變電壓最小的方法？而後面「01」和「00」兩組電壓值都不復存在。當然，不使用upper page就等於另外一半的容量沒有使用,所以，容量只有mlc的一半。
當傳送set features命令之後（首先需要設定feature address，此處不便公開），host將會傳送slc的模式下擦除命令擦除block，然後傳送program命令，將page按slc模式進行program，這樣，block才能轉變成slc模式。
轉換為slc模式以後，trim會永久設定每個cell中預設的bit數量（1個），頁暫存器引數也將會只允許每個cell中乙個bit。
從理論上講，mlc轉換為slc就是只使用lower page，而不使用upper page。
mlc轉slc模式後真實耐磨度
先看結論，mlc轉為slc之後，p/e cycle次數達到了37827次，而原始誤位元速率到10^(-0.909)時才出現擦寫失敗，這個是很有意義的：
mlc模式下，p/e次數達到5822次時出現擦寫失敗，此時，原始誤位元速率還在10^(-3.537):
測試配置：
mlc和slc都使用同樣的ecc強度，二者使用同樣的pattern：2345689ab為種子產生的偽隨機數：
mlc轉為slc模式之後，只有一半的page在工作（每個block有256個page，只有128個page可以使用）：
小結：
1、mlc轉slc有效果，但無法達到真正的slc耐磨度；
2、可靠性方面，slc模式比mlc更可靠；
3、把mlc轉slc的時機非常重要，當mlc接近壽命終結時再轉換slc模式基本沒有效果；
4、從成本角度考慮，花費2倍**，提公升大約6倍左右的壽命是否划算……不好說。
測試侷限：
只使用單一block進行測試，樣本數量太少，不足以說明問題，slc模式下，單一block花費了13小時8分鐘才被磨損到壽命終結。
只使用某一廠商快閃儲存器進行測試，並不代表所有廠商mlc轉slc模式後的水平。
對於那些希望用到slc的可靠性但又負擔不起slc成本的使用者而言，mlc轉換為slc雖然犧牲了一半容量，但**的確便宜了好多倍，目前slc每gb的成本普遍都在usd4或者以上，而mlc每gb連usd0.4都不到（非工業類），即使犧牲一半容量，成本也不到每gb usd1，巨大的成本差異對使用者來說無疑極具吸引力，乙個256gb pslc與slc僅nand flash成本差異可以就可以達到usd500美元以上。
SLC和MLC的區別
slc全稱是single level cell，即單層單元快閃儲存器，而mlc全稱則是multi level cell，即為多層單元快閃儲存器。它們之間的區別，在於slc每乙個單元，只能儲存一位資料，mlc每乙個單元可以儲存兩位資料，mcl的資料密度要比slc大一倍。1.mlc 可是slc的儲存空間...
SLC和MLC的實現機制
nand flash按照內部儲存資料單元的電壓的不同層次，也就是單個記憶體單元中，是儲存1位資料，還是多位資料，可以分為slc和mlc 1.slc，single level cell 單個儲存單元，只儲存一位資料，表示成1或0.就是上面介紹的，對於資料的表示，單個儲存單元中內部所儲存電荷的電壓，和某...
NAND FLASH的MLC和SLC架構區別
目前業內最具爭議的話題莫過於nand快閃儲存器的兩大架構mlc和slc了，這兩種架構最大的區別是訪問技術不同，由此也帶來了製造成本 工藝要求 輔助電路 訪問次數上的迥異。從短期發展來看，slc架構在使用上優勢較為明顯，也因此成為了部分廠商炫耀產品的資本。然而mlc架構具有成本低廉 單片容量較slc成...