本篇來記錄下，sdram的讀、寫過程，sdram（同步動態隨機訪問記憶體），所謂的「隨機」，便是指我們每次讀、寫的位址可以是設計者指定的位置。sdram一般結構都會分為幾個bank，每個bank中分成行、列式來管理，使用者可以指定將寫入或者讀出哪個bank、哪一行、哪一列的資料。
以美光的一款sdram mt48lc16m16a2為例，這款晶元共有4個bank，每個bank分成8192行和512列，每個位址可以儲存16bit的資料。
讀、寫的時序過程是非常相似的，先來看下寫入的時序圖：
上圖是突發寫入的一段時序，其實寫入sdram有多種不同的模式，比如說可以單個單個地寫入，也可以使用full page寫入，也可以像上圖那樣突發寫入幾個資料，寫入的資料個數是由我們初始化的時候設定的模式暫存器決定的。
上圖中也有乙個小細節，"write-without auto percharge "當然同時對應的就有"write-with auto percharge "，不同之處呢就在於第一種需要我們在寫操作流程的某個時間（具體時間各種款式的晶元不大一樣）執行一次precharge命令，我一般習慣於在我要寫的資料結束後，滿足twr的情況下，給出precharge命令，當然具體的程式編寫，我會在後面的筆記中詳細說明。
第二種顧名思義的話，就是說整個寫流程中不需要我們手動給出precharge命令，sdram本身會自動進行perecharge。這裡值得思考的是，使用哪種方式寫入，這兩種寫入方式有什麼區別，比如我們做乙個設計，如何決定使用哪種寫入方式…
廢話太多了，來看一下寫時序步驟：
首先執行一次active 命令，同時對位址匯流排a0~a12，bank匯流排複製，設定要寫入資料的bank位址和row（行）位址；
trcd後，給出wrtie命令，同時對位址匯流排a0-a8，進行操作設定要寫入資料的col（列位址），設定a10bit位，設定是否需要自動precharge，與此同時要寫入的第乙個資料也可以給到sdram的資料匯流排了。
依次將待寫入的資料放置到資料匯流排上；
等待twr時間，給出precharge命令；
等待trp時間之後，本次寫入操作就完成了，就可以進行別的操作了；
注：在不要給出特定的命令的時候，需要給出nop命令。
讀操作的過程和寫十分相似，唯一要注意的就是從讀命令給出到資料被sdram將資料放到資料匯流排上，是需要時間的，這個就是我們在模式暫存器設定中設定的潛伏週期，下圖是讀的時序過程：
至此，sdram的幾個核心操作：初始化，重新整理，讀，寫，便簡單介紹完了，但是光知道這些過程是遠遠不夠的，我們需要將這些操作真正運用到sdram上，後面幾篇文章將主要介紹基於fpga的sdram控制器的設計，對於這個控制器來說，我們主要解決的就是重新整理和讀寫之間的排程問題，因為sdram需要不停的進行重新整理，當我們需要寫入或者讀出資料的時候，sdram正在重新整理怎麼辦，當我們寫入或者讀出還沒完成的時候，需要進行重新整理操作了該怎麼辦，這些將會在後面幾篇文章中詳細介紹。
文中如有不當之處，請大家多多指點。。。
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