死區時間
死區時間是
pwm輸出時，為了使
h橋或半
h橋的上下管不會因為開關速度問題發生同時
導通而設定的乙個保護時段。
由於igbt
等功率器件都存在
一定的結電容，所以會造成器件導通關斷的延遲現象。
一般在設計電路時已盡量降低該影響，
比如盡量提高控制極驅動電壓電流，
設定結電容釋放
迴路等。為了使
igbt
工作可靠，避免由於關斷延遲效應造成上下橋臂直通，有必要設定死
區時間，也就是上下橋臂同時關斷時間。死區時間可有效地避免延遲效應所造成的乙個
橋臂未完全關斷，而另一橋臂又處於導通狀態，避免直通炸模組。
死區時間大，
模組工作更加可靠，
但會帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。
死區時間
小，輸出波形要好一些，只是會降低可靠性，一般為
us級。
igbt
在關斷時的脈衝後沿因少數載流子的儲存效應會產生乙個較大的
拖尾電流
，因此所
產生的關斷能耗(
eoff
)在早期產品中非常突出。
死區時間調整硬體解決方案
摘要：針對不同廠家
ipm要求的死區時間引數的不同，
本文從硬體電路角度出發，
提出一種延時電路方案，解決了因引數調整而引起軟體的不統一問題，進而為
mcu的大批量
mask
降低成本提供可能。
ipm死區時間
隨著現代電力電子技術的飛速發展，
以絕緣柵雙電晶體
igbt
為代表的功
率器件在越來越多的場合得到廣泛地應用。
igbt
是vdmos
與雙極電晶體的組
合器件，集
mosfet
與gtr
的優點於一身，既具有輸入阻抗高，開關速度快，熱穩
定性好和驅動電路簡單的長處，又具有通態電壓低，耐壓高和承受大電流的優點，
特別適合於電機控制。
現代逐漸得到普遍推廣的變頻空調，
其內部的壓縮機
控制單元就是採用以
igbt
為主要功率器件的新型智慧型模組(
ipmipm
(智慧型功率模組)即
intelligent
power
module
的縮寫，它是將輸出功
率器件igbt
和驅動電路、多種保護電路整合在同一模組內，與普通
igbt
相比，在系統效能和可靠性上均有進一步提高，
而且由於
ipm通態損耗和開關損耗都
比較低，
使散熱器的尺寸減小，
故整個系統的尺寸減小。
下面是ipm
內部的電路
框圖：
什麼是PWM死區
pwm是脈寬調變，在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對三相電來說，就需要三個橋臂。以兩電平為例，每個橋臂上有兩個電力電子器件，比如igbt。這兩個igbt不能同時導通，否則就會出現短路的情況。因此，設計帶死區的pwm波可以防止上下兩個器件同時導通。也就是說，當乙個器件...
什麼是PWM死區
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三電平igbt死區時間計算 三電平IGBT功率模組
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