太赫茲晶元是什麼原理 太赫茲技術及其應用詳解

2021-10-13 04:01:45 字數 2585 閱讀 8300

太赫茲研究主要集中在0.1-10 thz 頻段。 這是乙個覆蓋很廣泛並且很特殊的乙個頻譜區域。起初, 這一頻段被稱為「thz gap (太赫茲鴻溝)」,原因是這一頻段夾在兩個發展相對成熟的頻,即電子學頻譜和光學頻譜之間。 其低頻段與電子學領域的公釐波頻段有重疊, 高頻段與光學領域的遠紅外頻段(波長0.03-1.0 mm) 有重疊。 由於這一領域的特殊性, 形成了早期研究的空白區。 但隨著研究的開展, 太赫茲頻譜與技術對物理、化學、生物、電子、射電天文等領域的重要性逐漸顯現, 其應用也開始滲透到社會經濟以及****的很多方面, 如生物成像、thz 波譜快速檢測、高速通訊、穿牆雷達等。 太赫茲之所以具有良好的應用前景, 主要得益於其光譜分辨力、安全性、透視性、瞬態性和寬頻等特性。

例如: 自然界中許多生物大分子的振動和旋轉頻率都處在太赫茲頻段, 這對檢測生物資訊提供了一種有效的手段; 太赫茲頻段光子能量較低, 不會對探測體造成損壞, 可以實現無損檢測; 太赫茲波對介質材料有著良好的穿透能力, 從而可作為探測隱蔽物體的手段; 太赫茲脈衝的典型脈寬在皮秒量級, 可以得到高訊雜比的太赫茲時域譜, 易於對各種材料進行光譜分析; 此外, 太赫茲頻段的頻寬很寬, 從0.1-10 thz可為超高速通訊提供豐富的頻譜資源。

相對於公釐波技術, 太赫茲技術的研究還處在探索階段。太赫茲技術主要包括太赫茲波源、太赫茲傳輸和太赫茲檢測等,其關鍵部件可以分為無源元件和有源器件。 無源元件包括太赫茲傳輸線、濾波器、耦合器、天線等, 而有源器件包括太赫茲混頻器、倍頻器、檢波器、放大器、振盪器等。

1、太赫茲源

伴隨著太赫茲波生成技術的發展, 太赫茲源的研究已有很多有價值的新進展。 研發低成本、高功率、室溫穩定的太赫茲源是發展太赫茲技術的基礎。 太赫茲源的分類多種多樣, 按照產生機理, 可以分為基於光學效應和基於電子學的太赫茲源。按照源型別可以分成3 類: 非相干熱輻射源、寬頻太赫茲輻射源以及窄帶太赫茲連續波源。

1.1 非相干熱輻射源

非相干熱輻射源在熱平衡的情況下將熱能轉換為光能, 產生連續的光譜。 主要例子如日常生活中的太陽, 以及白熾燈。 由於其產生的太赫茲波功率很低, 應用前景較為侷限。

1.2 寬頻太赫茲輻射源

寬頻太赫茲輻射源目前主要應用於光譜系統, 主要由週期為幾十到幾百個飛秒的脈衝產生,在頻譜上包含高達幾十太赫茲的超寬頻譜分量。 產生方法包括:

a) 光導天線:光導天線進行太赫茲輻射的主要機理是光導天線在光脈衝的照射下產生載流子, 並在電場作用下加速運動, 在表面產生瞬態電流,進而輻射太赫茲電磁波,其特點是具有較高的輸出能量。 近年來, 國內外開展了很多關於光導天線產生寬頻太赫茲波的研究。

b) 光整流法: 光整流法是利用非線性的光整流效應, 使兩個光束或者乙個高強度的單色光束在介質中傳播時產生差頻或和頻振盪,其特點是可以實現太赫茲超寬頻輸出, 但是輸出能量相對不高。 基於此原理, 太赫茲輻射源得到了長足的發展。

c) 空氣等離子法: 空氣等離子法的原理是利用雷射聚焦擊穿空氣產生太赫茲輻射。

d) 半導體表面: 基於半導體表面的太赫茲輻射源的基本工作原理可以總結成表面電場效應和光生丹培效應。 對於某些寬頻隙的半導體材料, 其表面存在表面態, 由於表面和內部的費公尺能級不一致, 會形成表面電場。 在這個電場作用下, 被雷射激發的載流子會形成瞬態電流, 從而形成太赫茲輻射。 對於某些窄帶隙半導體材料, 由於其吸收係數很大, 大量的載流子會在半導體表面形成, 其中的電子和空穴在向半導體內擴散的時候使正負電荷在空間中分離, 形成光生丹培電場, 輻射太赫茲波。 這種方式的特點是簡單易操作, 但輻射功率較低。

1.3 窄帶太赫茲連續波源

窄帶太赫茲輻射源的目標是產生連續的線寬很窄的太赫茲波。 常用的方法包括:

a) 利用電子學器件設計振盪器, 尤其是以亞公釐波振盪器為基礎, 提高振盪器的工作頻率, 以設計實現適合太赫茲頻段的振盪器。 由於這一特點, 目前報道的太赫茲源的工作頻率主要集中在較低的太赫茲頻段。但是, 在此基礎上利用倍頻鏈已獲得了1thz 左右甚至更高頻率的太赫茲波。

b) 太赫茲量子級聯雷射器(thz-qcl) 作為相干光源的一種,是基於導帶子帶電子能態間躍遷和聲子共振輔助隧穿實現粒子數反轉。 隨著量子級聯雷射器的迅速發展, 可以用來研究微小尺度的物質運動, 比如電子微觀輸運, 奈米光子學等。 同時由於其結構緊湊, 使之在很多領域具有很高的應用價值, 如天體物理和大氣科學、空間通訊、精密光譜測量、安檢領域和太赫茲成像等。

c) 自由電子雷射器是將在磁場中運動的相對論電子束的動能轉換為光子能量, 從而產生雷射, 其特點是具有高能量和高相干性。 由於其連續性,輻射波長可以調諧到任何波長, 非常適合用作太赫茲輻射源, 但自由電子雷射器的缺點是功耗高、體積大和費用昂貴, 因此自由電子雷射器基本上用在實驗室環境中。

d) 光幫浦太赫茲雷射器: 太赫茲頻段符合許多極性分子的轉動能級, 光幫浦太赫茲雷射器使這些極性分子的轉動能級間的粒子數反轉,從而產生太赫茲輻射。 國內外相關工作中, 常用的氣體有ch3f 、nh3、d2o 、ch3oh 等。

e) 差頻太赫茲輻射源: 差頻太赫茲輻射源主要利用非線性晶體的差頻效應來產生相干窄帶的太赫茲輻射。 這種方法中, 需要兩束不同波長的雷射, 即頻率不同, 以一定角度幫浦浦非線性晶體, 例如gase、zngep2、gaas、gap、linbo3 以及有機晶體dast 等。 太赫茲波的頻率取決於幫浦浦光波長, 可以方便進行調諧。

f) 光參量法: 光參量法是利用一束幫浦浦光入射晶體, 激發出斯托克斯光和電磁耦子。 在幫浦浦光和斯托克斯光的共同作用下, 電磁耦子發生受激拉曼散射, 實現太赫茲輻射。

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