本發明涉及晶元技術領域，尤其涉及一種太赫茲晶元。
背景技術：
晶元是指其內含積體電路的半導體基片，是積體電路的物理載體。而半導體是一種導電性能介於導體和絕緣體之間的材料，常見的有矽、鍺、砷化鎵等，用於製造晶元。
積體電路產業離普通人很近又很遠，大多數人只知道手機和電腦需要使用積體電路產業。然而其實各行各業裡面都要用到電子器件，cpu、gpu、微控制器、數控裝備、汽車等都離不開晶元。
太赫茲晶元以其高頻性、人體安全性、大頻寬特性使其在太赫茲雷達、人體安檢及高速無線通訊等領域具有極大的應用價值。
然而目前的太赫茲晶元存在著晶元厚度大，抗瞬態干擾能力不強的問題。同時還存在晶元的工作頻率較低，倍頻混頻等功能效果差的問題。
實同時用新型內容
為了克服上述技術的不足，本發明的目的是提供一種太赫茲晶元，晶元厚度小，抗瞬態干擾能力強，晶元的工作頻率高，倍頻混頻等功能效果好。
本發明所採用的技術方案是：一種太赫茲晶元，包括三五族襯底，所述三五族襯底上方設定有外延層，三五族基片通過過渡層與外延層連線，所述外延層上表面中部設定有肖特基結，環繞肖特基結設定有氧化層，所述氧化層固定敷設在外延層的上表面上，所述氧化層與外延層之間設定有p型擴散區，所述肖特基結、p型擴散區和氧化層上均設定有電極金屬。
所述三五族襯底的厚度為2.5-3.5mm。
所述外延層的厚度為16-20um，電阻率為2-3ohm.cm。
所述外延層的厚度為23-30um，電阻率為3-5ohm.cm。
所述過渡層的電阻率為0.04-0.9ohm.cm。
所述三五族襯底的電阻率為0.002-0.003ohm.cm。
所述氧化層為二氧化矽層。
與現有技術相比，本發明具有以下有益效果：本發明所述的一種太赫茲晶元，抗瞬態干擾能力強，晶元的工作頻率高，倍頻混頻等功能效果好，大多數三五族元素，包括銦、鎵、砷以及磷，都比矽有更高的電子遷移率和禁帶寬度，採用三五族材料製成的三五族襯底，有效降低了器件的串聯電阻和寄生電容，使得晶元可在太赫茲頻段應用，。
附圖說明
圖1是本發明的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明作詳細說明。
實施例1
如圖1所示，一種太赫茲晶元，包括三五族襯底1，所述三五族襯底1上方設定有外延層4，三五族基片1通過過渡層5與外延層4連線，所述外延層4上表面中部設定有肖特基結2，環繞肖特基結2設定有氧化層3，所述氧化層3固定敷設在外延層4的上表面上，所述氧化層3與外延層4之間設定有p型擴散區6，所述肖特基結2、p型擴散區6和氧化層3上均設定有電極金屬。
所述三五族襯底1的厚度為2.5-3.5mm，優選為2.5mm或3 mm或3.1mm。
所述外延層4的厚度為16-20um，電阻率為2-3ohm.cm。
所述過渡層5的電阻率為0.04-0.9ohm.cm。
所述三五族襯底1的電阻率為0.002-0.003ohm.cm。
所述氧化層3為二氧化矽層。
實施例2
一種太赫茲晶元，包括三五族襯底1，所述三五族襯底1上方設定有外延層4，三五族基片1通過過渡層5與外延層4連線，所述外延層4上表面中部設定有肖特基結2，環繞肖特基結2設定有氧化層3，所述氧化層3固定敷設在外延層4的上表面上，所述氧化層3與外延層4之間設定有p型擴散區6，所述肖特基結2、p型擴散區6和氧化層3上均設定有電極金屬。
所述三五族襯底1的厚度為2.5-3.5mm。
所述外延層4的厚度為16-20um，電阻率為2-3ohm.cm。
所述過渡層5的電阻率為0.04-0.9ohm.cm。
所述三五族襯底1的電阻率為0.002-0.003ohm.cm。
所述氧化層3為二氧化矽層。
實施例3
一種太赫茲晶元，包括三五族襯底1，所述三五族襯底1上方設定有外延層4，三五族基片1通過過渡層5與外延層4連線，所述外延層4上表面中部設定有肖特基結2，環繞肖特基結2設定有氧化層3，所述氧化層3固定敷設在外延層4的上表面上，所述氧化層3與外延層4之間設定有p型擴散區6，所述肖特基結2、p型擴散區6和氧化層3上均設定有電極金屬。
所述三五族襯底1的厚度為2.5mm。
所述外延層4的厚度為16um，電阻率為2ohm.cm。
所述過渡層5的電阻率為0.04ohm.cm。
所述三五族襯底1的電阻率為0.002ohm.cm。
所述氧化層3為二氧化矽層。
實施例4
一種太赫茲晶元，包括三五族襯底1，所述三五族襯底1上方設定有外延層4，三五族基片1通過過渡層5與外延層4連線，所述外延層4上表面中部設定有肖特基結2，環繞肖特基結2設定有氧化層3，所述氧化層3固定敷設在外延層4的上表面上，所述氧化層3與外延層4之間設定有p型擴散區6，所述肖特基結2、p型擴散區6和氧化層3上均設定有電極金屬。
所述三五族襯底1的厚度為3mm。
所述外延層4的厚度為18um，電阻率為2.5ohm.cm。
所述過渡層5的電阻率為0.5ohm.cm。
所述三五族襯底1的電阻率為0.0025ohm.cm。
所述氧化層3為二氧化矽層。
實施例5
一種太赫茲晶元，包括三五族襯底1，所述三五族襯底1上方設定有外延層4，三五族基片1通過過渡層5與外延層4連線，所述外延層4上表面中部設定有肖特基結2，環繞肖特基結2設定有氧化層3，所述氧化層3固定敷設在外延層4的上表面上，所述氧化層3與外延層4之間設定有p型擴散區6，所述肖特基結2、p型擴散區6和氧化層3上均設定有電極金屬。
所述三五族襯底1的厚度為3.5mm。
所述外延層4的厚度為20um，電阻率為3ohm.cm。
所述過渡層5的電阻率為0.9ohm.cm。
所述三五族襯底1的電阻率為0.003ohm.cm。
所述氧化層3為二氧化矽層。
上述實施例以本發明技術方案為前提，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發明的保護範圍不限於上述的實施例。
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