單結電晶體是近些年發展起來的一類新型電子器件，它具有一種重要的電氣效能——負阻特性，可以使自激多諧振盪器、階梯波發生器及定時電路等多種脈衝產生單元電路的結構大為簡化，故而應用十分廣泛。
上圖1為單結電晶體的特性檢測電路。在兩基極之間外加固定的正向偏壓vbb，調節發射極的電壓ve，根據ie與ve的變化關係，可以繪出單結電晶體的伏安特性曲線如圖2。 當ve=0時，pn結反偏截止，只有微小的反向電流ieo流過發射極，隨著ve的公升高，當ve=ηvbb時ie=0。ve繼續公升高，ie將變為正向，但pn結仍未導通，故正向的漏電流也很小，在p點左側單結電晶體處於截止區。
ve繼續公升高，當ve=ηvbb+vd時，pn結由截止變為導通，這個轉折點稱為峰點p(vp，ip)，對應的發射極電壓稱為峰點電壓vp(vp=ηvbb+vd)，發射極電流稱為峰點電流ip。ip代表了使單結電晶體導通所需的最小電流。pn結導通後，p區的空穴大量注入n區，使e與b1之間的空穴濃度增加，導電性能增強，rb1的阻值減小，隨著ie的增加，ve逐漸減小，單結電晶體呈現出明顯的負阻特性。從p到v這一段為單結電晶體特性的負阻區。
隨空穴的注入量達到一定程度，e與b1之間的基區由電中性轉變為正電性，給空穴的進一步注入增加了阻力，相當於rb1不再下降，反而增大了，這個轉折點稱為谷點v(vv，iv)此後，ve將隨ie的增加而緩慢增加，單結電晶體進入飽和區。谷點電壓是維持單結電晶體導通的最小發射極電壓，ve
1、單結電晶體極間電阻的測試
發射極開路時，極間電阻rbb基本上是乙個常數，用萬用表的rx1k或r×100擋測量即可，國產的單結電晶體的rbb值在3-10k範圍內。測量發射極和兩基極間的正向電阻，用萬用表的電阻擋，黑錶筆接發射極，紅錶筆分別接兩基極即可。測量發射極和兩基極間的反向電阻，同樣把萬用表調到電阻擋，紅錶筆接發射極，黑錶筆分別接兩基極，由於單結電晶體反向電流非常小，所以測得結果應為∞，否則證明管子質量不好。
2、單結電晶體負阻特性的檢測
用萬用表的r×1或r×100擋，黑錶筆接發射極，紅錶筆接第一基極，這就相當於在發射極和第一基極之間加上了乙個固定的1．5v的電壓ve，在第二基極與第一基極之間外加+4．5v電源，萬用表指示應為∞，表示單結電晶體效能良好。若指標發生偏轉，表示管子無負阻特性或分壓比值太低，不能正常使用。
單結電晶體原理
單結電晶體 簡稱ujt 又稱基極二極體，它是一種只有乙個pn結和兩個電阻接觸電極的半導體器件，它的基片為條狀的高阻n型矽片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在矽片中間略偏b2一側用合金法製作乙個p區作為發射極e。其結構 符號和等效電呼如圖1所示。圖1 單結電晶體 一 單結電晶體的特性 從圖...
單結電晶體的導電特性 二極體的導電特性
一 教案背景 面向學生 中學 小學 學科 電子 課時 學生課前準備 什麼是半導體？常見的的半導體材料有哪幾種？半導體根據內部載流子的不同分為哪幾種？二 教學課題 掌握晶體二極體的構成 符號和分類 掌握晶體二極體的導電特性 培養學生分析 問題的能力 培養學生靈活運用知識的能力 培養學生的動手和實踐能力...
單結電晶體的導電特性 了解三極體的共射特性曲線
三極體的特性曲線是描述三極體各個電極之間電壓與電流關係的曲線，它們是三極體內部載流子運動規律在管子外部的表現。三極體的特性曲線反映了管子的技術效能，是分析放大電路技術指標的重要依據。三極體特性曲線可在電晶體圖示儀上直觀地顯示出來，也可從手冊上查到某一型號三極體的典型曲線。三極體共發射極放大電路的特性...