1．場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2．場效電晶體是電壓控制電流器件，由vgs控制id，其放大係數gm一般較小，因此場效電晶體的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由ib（或ie）控制ic。
3．場效電晶體柵極幾乎不取電流（ig»0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。
4．場效電晶體只有多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效電晶體。
5．場效電晶體在源極水與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極體的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，b值將減小很多。
6．場效電晶體的雜訊係數很小，在低雜訊放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。
7．場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開路電路，但由於前者製造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓範圍寬等優點，因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。
場效電晶體與電晶體
場效電晶體與電晶體的比較 1 場效電晶體是電壓控制項，而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體 而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。2 場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電...
電晶體與場效電晶體的區別
這是一點點個人讀書時候摘抄的筆記，只希望能夠幫到你。模擬電子技術基礎 第五版，董詩白，高等教育出版社 侵刪。場效應電晶體的柵極g 源極s 漏極d對應於電晶體的基極b 發射極e 集電極c，它們的作用相類似。一 場效電晶體用柵 源電壓u gs控制漏極電流i d，柵極基本不取電流。而電晶體工作的時候基極總...
場效應電晶體
場效電晶體 field effect transistor簡稱fet 是利用電場效應來控制半導體中電流的一種半導體器件，故因此而得名。場效電晶體是一種電壓控制器件，只依靠一種載流子參與導電，故又稱為單極型電晶體。與雙極型晶體三極體相比，它具有輸入阻抗高 雜訊低 熱穩定性好 抗輻射能力強 功耗小 製造...