場效電晶體與電晶體

2022-05-15 14:13:03 字數 848 閱讀 5528

場效電晶體與電晶體的比較

(1)場效電晶體是電壓控制項,而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下,應選用場效電晶體;而在訊號電壓較低,又允許從訊號源取較多電流的條件下,應選用電晶體。

(2)場效電晶體是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而電晶體是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。

(3)有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比電晶體好。

(4)場效電晶體能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效電晶體整合在一塊矽片上,因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。

電路將乙個增強型p溝道mos場效電晶體和乙個增強型n溝道mos場效電晶體組合在一起使用。當輸入端為低電平時,p溝道mos場效電晶體導通,輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時,n溝道mos場效電晶體導通,輸出端與電源地接通。在該電路中,p溝道mos場效電晶體和n溝道mos場效電晶體總是在相反的狀態下工作,其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由於漏電流的影響,使得柵壓在還沒有到0v,通常在柵極電壓小於1到2v時,mos場效電晶體既被關斷。不同場效電晶體其關斷電壓略有不同。也正因為如此,使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。

如圖:

場效電晶體與電晶體的區別

1 場效電晶體的源極s 柵極g 漏極d分別對應於三極體的發射極e 基極b 集電極c,它們的作用相似。2 場效電晶體是電壓控制電流器件,由vgs控制id,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差 三極體是電流控制電流器件,由ib 或ie 控制ic。3 場效電晶體柵極幾乎不取電流 ig 0 ...

電晶體與場效電晶體的區別

這是一點點個人讀書時候摘抄的筆記,只希望能夠幫到你。模擬電子技術基礎 第五版,董詩白,高等教育出版社 侵刪。場效應電晶體的柵極g 源極s 漏極d對應於電晶體的基極b 發射極e 集電極c,它們的作用相類似。一 場效電晶體用柵 源電壓u gs控制漏極電流i d,柵極基本不取電流。而電晶體工作的時候基極總...

場效應電晶體

場效電晶體 field effect transistor簡稱fet 是利用電場效應來控制半導體中電流的一種半導體器件,故因此而得名。場效電晶體是一種電壓控制器件,只依靠一種載流子參與導電,故又稱為單極型電晶體。與雙極型晶體三極體相比,它具有輸入阻抗高 雜訊低 熱穩定性好 抗輻射能力強 功耗小 製造...