場效電晶體分類

2021-06-20 14:05:39 字數 370 閱讀 9201

場效電晶體(fet)是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高,雜訊係數低,受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度、低雜訊電路中 。

場效電晶體的種類很多,按結構可分為兩大類:結型場效電晶體(jfet)和絕緣柵型場效電晶體(igfet).結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金屬--氧化物--半導體場效電晶體(mos管) 。mos管又分為「耗盡型」和「增強型」兩種,而每一種又分為n溝道和p溝道 。

結型場效電晶體是利用導電溝道之間耗盡區的寬窄來控制電流的,輸入電阻(105~1015)之間;

絕緣柵型是利用感應電荷的多少來控制導電溝道的寬窄從而控制電流的大小,其輸入阻抗很高(柵極與其它電極互相絕緣)。它在矽片上的整合度高,因此在大規模積體電路中占有極其重要的地位 。

場效電晶體P MOS N MOS

nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極,s源極,d漏極 模擬 三極體 b基極,e發射極,c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通,適合源極接 ...

鏈結式場效電晶體

意法半導體的st公司推出stw20nm60系列鏈結式場效電晶體 jfet 對於高頻 低頻訊號都具有低雜訊特性,idss小,電容效應低。stw20nm60適用於低雜訊 低電壓應用,在1khz下電壓雜訊為1nv hz,10hz下典型值為2nv hz,且高增益下僅呈現22pf的電容。該產品idss提供三個...

場效電晶體(FET)分類 符號 特性曲線

場效電晶體分結型 jfet 絕緣柵型 mosfet 兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種 按導電方式 耗盡型與增強型,結型場效電晶體均為耗盡型,絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的,也有增強型的。1 結型場效電晶體的分類 結型場效電晶體有兩種結構形式,它們是n溝道結型場效電晶體和p溝道結型...