場效電晶體分結型（jfet）、絕緣柵型(mosfet)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。
1、結型場效電晶體的分類：結型場效電晶體有兩種結構形式，它們是n溝道結型場效電晶體和p溝道結型場效電晶體。
結型場效電晶體也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個pn結的正向導電方向。
2、結型場效電晶體的工作原理(以n溝道結型場效電晶體為例)，n溝道結構型場效電晶體的結構及符號，由於pn結中的載流子已經耗盡，故pn基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區，當漏極電源電壓ed一定時，如果柵極電壓越負，pn結交介面所形成的耗盡區就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流id就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那麼負，則溝道變寬，id變大，所以用柵極電壓eg可以控制漏極電流id的變化，就是說，場效電晶體是電壓控制項。
1、絕緣柵場效電晶體的分類：絕緣柵場效電晶體也有兩種結構形式，它們是n溝道型和p溝道型。無論是什麼溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效電晶體，簡稱mos場效電晶體。
3、絕緣柵型場效電晶體的工作原理(以n溝道增強型mos場效電晶體)它是利用ugs來控制「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交介面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的n區接通，形成了導電溝道，即使在vgs=0時也有較大的漏極電流id。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流id隨著柵極電壓的變化而變化。
場效電晶體的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型，當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之後才有漏極電流的稱為增強型。
場效電晶體分類
場效電晶體 fet 是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，雜訊係數低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用於高靈敏度 低雜訊電路中 場效電晶體的種類很多，按結構可分為兩大類 結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵型場效電晶體 igfet 結型場效電晶體又分為n溝道和p溝道兩種。絕緣柵場效電晶體主要指金...
場效電晶體P MOS N MOS
nmos是柵極高電平 vgs vt 導通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導通。pmos是柵極低電平 vgs vt 導通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導通。g 柵極，s源極，d漏極 模擬 三極體 b基極，e發射極，c集電極 pmos的特性是當 vgs的值小於一定的值時管子就會導通，適合源極接 ...
三極體BTJ與場效電晶體FET
bjt是bipolar junction transistor的縮寫，也即是雙極性電晶體。從名字上看，btj就是有兩個pn結組成。bjt有兩種型別 npn和pnp，其中npn最常用，兩者的表示符號如下圖。bjt是電流控制器件，下文以npn為例，介紹bjt的放大原理。文中會用二極體的 多子 和 少子 ...