隨著半導體技術的飛速發展,各種儲存器相繼推出,效能不斷提高。目前儲存器主要有以下幾種型別:靜態ram(sram),動態ram(dram)eprom,eeprom，flash memory。這裡討論一種由普通sram、後備電池以及相應控制電路整合的新型儲存器:非易失性sram(nvsram)。
為解決sram的資料儲存問題,國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代sram的nv-sram系列產品,國內也有同類產品相繼問世。面對眾多的nvsram產品，廣大使用者如何選擇質優價廉的產品呢?建議使用者根據以下幾個效能指標和**進行選擇:
一、保護資料的可靠性:指系統上、掉電期間nvsram是否被誤寫,這是nvsram最重要的一項效能指標，也是使用者最關心而又難以在購買時測試的。雖然各廠家都聲稱自己的產品萬無一失保護資料,其實真正做到這一點的卻很少。大多數nvsram產品使用時會丟失資料,給使用者帶來很多問題和不便。這主要有以下幾個原因:上電無保護延時,上電期間丟失資料;掉電時主電源電壓下降快,保護電路不能快速將sram的供電從主電源切換到備用電池,或對sram的片選訊號的封鎖不及時。
二、保護電壓:設定保護電壓主要是為了防止上.掉電期間資料的誤寫。對於使用者來說,在完全可靠保護資料的前提下,保護電壓越低越好。
三、上電保護延時:這是指系統上電時，當vcc高於保護電壓時,nv-sram延時多長時間才可以訪問。這個延時是必要的,因為vcc高於保護電壓時系統不一定正常工作,有可能正處於復位狀態或不確定狀態,極有可能誤定nvsram。nvsram內部電路加以必要的保護延時可以有效地防止上電期間的誤寫。使用者在使用nvsram時要注意產品的延時引數，系統工作時最好先測試一下nvsram是否已可以訪問;或在初始化程式中加一段延時程式。
四、使用溫度範圍:某些nvsram產品保護電壓會隨溫度變化而變化。如果使用nv-sram的系統要求的溫度範圍較大,則可以用以下辦法做簡單測試:將nvsram放在冰箱速凍室半小時左右,再立即插人系統使用，測試系統能否正常讀寫nv-sram。
五、訪問速度:各類nv-sram產品上都標有訪問速度，使用者可以根據自己應用系統的要求進行選擇。
六、功耗及使用壽命:國外產品都使用低功耗晶元,內部控制電路在系統正常工作時電流小於1ma,系統掉電時切換到電池供電,此時的電流僅為100na左右。nv-sram都使用鋰電池作後備電源,由於鋰電池自耗電極低，nvsram的使用壽命一般可到十年左右。
七、**:總的來說,國外產品**昂貴,國內產品**便宜,但是對於要丟失資料的晶元,即使**再便宜,建議使用者也不要選用。
非易失性WAL buffer
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flash 快閃或快閃儲存器 由intel公司於1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和程式設計的非易失性儲存器，其快速是相對於eeprom而言的。flash從晶元工藝上分為nor flash和nand flash兩大類。nor flash nor flash的特點是晶元內執行 xip 應用程式可...