flash(快閃或快閃儲存器)由intel公司於2023年首先推出的是一種可用電快速擦除和程式設計的非易失性儲存器，其快速是相對於eeprom而言的。flash從晶元工藝上分為nor flash和nand flash兩大類。
nor flash
nor flash的特點是晶元內執行(xip )，應用程式可以直接在記憶體flash內執行，不必再把**讀到系統ram中。nor flash的傳輸效率很高，在1~4mb的小容量時具有很高的成本效益。
nand flash
nand flash的結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較複雜。
非易失性儲存器–nor flash
nor flash根據資料傳輸的位數可以分為並行和序列，並行nor flash每次傳輸多個bit位的資料;而序列nor flash每次傳輸乙個bit位的資料。並行nor flash比序列nor flash具有更快的傳輸速度。
序列nor flash
主要介面有spi、dual spl、quad spi模式。
並行nor flash
主要介面有8位、16位、8位/16位可選的資料傳輸方式。
非易失性儲存器-nor flash特點
特點:nor flash是非易失儲存,一般用於程式**儲存
主推容量256kb-512mb
序列:mcu帶spi口、io口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。
並行:mcu需帶外部匯流排,速度快,內部無flash等
用在amr9、arm11、a7、a8、a9等高階平台上
非易失性儲存器-nand flash特點
特點:容量大，寫速度快等優點適用於大資料的儲存
主推容量512mb-8gb
並行:muc帶外部儲存控制器、資料量大、速度快
用在amr9、arm11、a7、a8、a9等高階mcu上;跑wince/linux/android等作業系統
序列:mcu帶spi口、io口比較少、成本低、體積小
目前只有gd(北京兆易）在生產相關的產品但我們不推該產品線的儲存
flash的應用
nor flash與nand flash的區別
nor1.讀速度快，寫速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次數約10萬次
4.容量小256kb-512mb
5.單位容量**高，適用於小容量程式儲存
6.不易產生壞塊
nand
1.讀速度慢，寫速度快
⒉擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次數約100萬次
4.容量大512mb-8gb
5.單位容量**低，適用於大容量資料儲存
6.較易產生壞塊，需ecc校驗
非易失性WAL buffer
今天看到pg郵件列表裡有非易失性內存在pg應用的討論，做下記錄，接著學習其補丁，如何將wal buffer改造成非易失性buffer，以及和之前有和區別。該補丁是也是日本ntt公司提供。提出了乙個概念證明的新特性 非易失wal buffer 通過將非易失記憶體 pmem 替代dram，不需要將wal...
非易失性記憶體
非易失性儲存器 是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失的電腦儲存器。非易失性儲存器中，依儲存器內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產品，即rom和flash memory。編輯非易失性儲存器主要有以下型別 flash memory 快閃儲存器 prom 其內部有行列式的鎔絲，可依使...
易失性儲存DRAM詳解
dram是一種半導體儲存器，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表乙個二進位制bit是1還是0。與sram相比的dram的優勢在於結構簡單,每乙個bit的資料都只需乙個電容跟乙個電晶體來處理，相比之下在sram儲存晶元上乙個bit通常需要六個電晶體。因此dram擁有非常高的密度，單位體積的容...