首先來解釋一下四段號碼的大概含義。
a部分我想不用解釋了吧，標明的是生產企業的名稱——
samsung
b部分說明的是該記憶體模組的生產日期，以三個阿拉伯數字的形式表現。其中第乙個阿拉伯數字表明，生產的年份，
後面兩位數字表明是在該年的第
xx周生產的。例如，上圖中的
就該表示該模組是在
年的第周生產的。如
果三位數字是
，則表明該記憶體模組是
年第周生產的。
c部分說明的是該記憶體的封裝型別，由乙個英文本母表示。該部分將分別以tu
nvgz
幾個字母來代表不同的
封裝型別。其中t
代表是tsop2
封裝，u
表示tosp2
lead-free
封裝，n
表示stsop2
封裝，v
表示stosp2
lead-free
封裝，g
表示fbga
封裝，z
表示fbga
lead-free
)封裝。
d部分說明是該記憶體模組的工作溫度與功耗，由乙個英文本母表示。該部分將以c和
l兩個字母來表示該記憶體顆粒的
不同工作溫度與功耗。其中
c表示該記憶體模組為大眾商用型記憶體，普通功耗，工作溫度在
°c~70
°c之間；l表示
該記憶體模組也屬於大眾商業型，但卻是低功耗，工作溫度也在
0 °c~70 °c
之間。這部分標註為
l的模組，在筆記
本記憶體中比較常見。
e部分說明的是該記憶體模組的頻率和各項延遲(即
cl-trcd-trp
)，由兩個英文本母或數字組成。該部分分別以
a0b0
a2b3和cc
這五個字母
數字組合來代表不同頻率和延遲的
ddr記憶體模組。其中，
a0代表該模組的工作做頻率
為ddr-200
100mhz
)，延遲為
2-2-2
b0代表
ddr133mhz
)，延遲為
2.5-3-3
a2代表
ddrddr
133mhz
延遲為2-3-3
b3代表
ddr333
166mhz
)，延遲為
2.5-3-3
cc代表
ddr400
200mhz
)，延遲為
3-3-3
f部分實際上是由
個小部分組成的，分別表示該記憶體模組的型別、容量、位寬、介面型別、工作電壓等等內容。詳
三星電容命名規則
例 cl10b104ka8nnnc 規格說明 cl 積層陶瓷電容 03 0201 0603 21 0805 2012 42 1808 4520 05 0402 1005 31 1206 3216 43 1812 4532 10 0603 1608 32 1210 3225 55 2220 5750 ...
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