晶元IC失效分析測試

ic積體電路在研製、生產和使用過程中失效不可避免，隨著人們對產品質量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過晶元失效分析，可以幫助積體電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝引數的不匹配或設計與操作中的不當等問題。華碧實驗室整理資料分享晶元ic失效分析測試。

ic失效分析的意義主要表現具體來說，以下幾個方面：

1. 失效分析是確定晶元失效機理的必要手段。

2. 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的資訊。

3. 失效分析為設計工程師不斷改進或者修復晶元的設計，使之與設計規範更加吻合提供必要的反饋資訊。

4. 失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產測試提供必要的補充，為驗證測試流程優化提供必要的資訊基礎。

失效分析主要步驟和內容

ic開封：去除ic封膠，同時保持晶元功能的完整無損，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步晶元失效分析實驗做準備。

sem 掃瞄電鏡/edx成分分析：包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規微區分析、精確測量元器件尺寸等等。

探針測試：以微探針快捷方便地獲取ic內部電訊號。雷射切割：以微雷射束切斷線路或晶元上層特定區域。

emmi偵測：emmi微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產生的漏電流可見光。

obirch應用（雷射光束誘發阻抗值變化測試）：obirch常用於晶元內部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用obirch方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區等，也能有效的檢測短路或漏電是發光顯微技術的有力補充。

lg液晶熱點偵測：利用液晶傳感到ic漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現出不同於其它區域的斑狀影像，找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區域（超過10ma之故障點）。

定點/非定點晶元研磨：移除植於液晶驅動晶元 pad上的金凸塊，保持pad完好無損，以利後續分析或rebonding。

x-ray 無損偵測：檢測ic封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，pcb製程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連線的缺陷，封裝中的錫球完整性。

sam (sat)超聲波探傷可對ic封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：1、晶元面脫層2、錫球、晶元或填膠中的裂縫3、封裝材料內部的氣孔4、各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。

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