用VASP求矽的電子態密度和能帶

2021-10-20 03:09:47 字數 1287 閱讀 4295

(1).     生成4個輸入檔案: poscar potcar incar kpoints

(2).     優化晶格引數,求出能量最低所對應的晶格引數

(3).     固定晶格引數, 求出能態密度(doscar), 確定費公尺能量

(4).     修改kpoints和incar輸入檔案,固定電荷密度,做非自洽計算,得到輸出檔案eigenval

(5).     提取資料,畫圖

(1).      生成4個輸入檔案: poscar potcar incar kpoints

(2). 優化晶格引數,求出能量最低所對應的晶格引數

執行vasp程式, 檢視summary.fcc輸出檔案:

(3).     固定晶格引數, 求出能態密度(doscar), 確定費公尺能量

(i)         找到平衡晶格常數後, 把該值寫入到posca件中,並增加k點數作乙個離子步自洽計算(nsw = 0, ibrion = -1) .

(ii)   從doscar輸出檔案中讀出態密度和費公尺能級,費公尺費公尺能級也可從outcar中讀出.

(4).         做非自洽計算, 求電子結構

•       修改inca件: 將引數icharg設為 11

•          修改kpoints輸入檔案

•       執行vasp程式,從輸出檔案eigenval中提出電子結構

•     vasp輸出電荷密度檔案chgcar

•     採用免費程式lev00處理資料檔案chgcar www.cmmp.ucl.ac.uk/lev

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