現在積體電路中常使用mos集體管：metal-oxide-semiconductor（金屬-氧化物-半導體）
電晶體有兩種型別：n型和p型，由nmos和pmos共同構成的互補型mos積體電路（cmos）
它們兩者的區別在於：nmos是高電平有效，pmos是低電平有效。
例如，對nmos來說，當gate連線高電平時這個電晶體導通，source能傳到drain;gate連線低電平時不導通。
非門可以由nmos和pmos組合設計出來，原理圖如下：
原理：nmos和pmos互補，設a=0，對上面pmos來說是導通的，vdd能傳遞到y，y = 1，與此同時，對下面nmos來說是不導通的，地0不會傳遞到y，綜合得y=1。a=1同理。
由於與非門得實現比與門簡單，所以實際上用非門+與非門——>與門，原理圖如下：
原理：設a=b=1,與地相連得兩個電晶體是nmos，所以導通，地0傳到y使得y=0，與此同時，與vcc相連得電晶體都是pmos,所以都不導通，所以1不會傳到y，綜上，y=0.剩下3種情況類似.
或門、異或門等其它得閘電路
都可以用cmos構成，這裡不細講了（話說數字邏輯書上都有）。
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