快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同
應用程式對nor晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以「塊」為基本單位。nand快閃儲存器的塊比較小，一般是8kb，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改nand晶元中乙個位元組，必須重寫整個資料塊。
2）nor快閃儲存器是隨機儲存介質，用於資料量較小的場合；nand快閃儲存器是連續儲存介質，適合存放大的資料。
3) 由於nor位址線和資料線分開，所以nor晶元可以像sram一樣連在資料線上。nor晶元的使用也類似於通常的記憶體晶元，它的傳輸效率很高，可執行程式可以在晶元內執行( xi p, execute in place)，這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行，不必再把** 讀到系統ram中。由於nor的這個特點，嵌入式系統中經常將nor晶元做啟動晶元使用。而nand共用位址和資料匯流排，需要額外聯結一些控制的輸入輸出，所以直接將nand晶元做啟動晶元比較難。
4) n an d快閃儲存器晶元因為共用位址和資料匯流排的原因，不允許對乙個位元組甚至乙個塊進行的資料清空，只能對乙個固定大小的區域進行清零操作；而nor晶元可以對字進行操作。所以在處理小資料量的i/o操作的時候的速度要快與nand的速度。比如一塊nor晶元通 常寫乙個字需要10微秒，那麼在32位匯流排上寫512位元組需要1280毫秒；而nand快閃儲存器寫512位元組需要的時間包括：512×每位元組50納秒+10微秒的尋頁時間+200微秒的片擦寫時間＝234微秒。
5）
NOR型flash與NAND型flash的區別
應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。nand快閃儲存器的塊比較小，一般是8kb，...
NOR型flash與NAND型flash的區別
1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。nan...
NOR型flash與NAND型flash的區別
1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 nor 以 字 為最小操作單位 nand 以 塊 為最小操作單位 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號...