我們使用的智慧型手機除了有乙個可用的空間（如蘋果8g、16g等），還有乙個ram容量，很多人都不是很清楚，為什麼需要二個這樣的晶元做儲存呢，這就是我們下面要講到的。這二種儲存裝置我們都統稱為「flash」，flash是一種儲存晶元，全名叫flash eeprom memory，通地過程式可以修改資料，即平時所說的「快閃儲存器」。flash又分為nand flash和nor flash二種。u盤和***裡用的就是這種儲存器。
相「flash儲存器」經常可以與相「nor儲存器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。nor flash 的讀取和我們常見的 sdram 的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在 nor flash 裡面的**，這樣可以減少 sram 的容量從而節約了成本。 nand flash 沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的， 通常是一次讀取 512 個位元組，採用這種技術的 flash 比較廉價。使用者 不能直接執行 nand flash 上的**，因此好多使用 nand flash 的開發板除了使用 nand flah 以外，還作上了 一塊小的 nor flash 來執行啟動**。
nor flash是intel公司2023年開發出了nor flash技術。nor的特點是晶元內執行（xip, execute in place），這樣應用程式可以直接在flash 快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。nor的傳輸效率很高，在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的效能。
nand-flash記憶體是flash記憶體的一種，2023年，東芝公司發表了nand flash結構。其內部採用非線性巨集單元模式，為固態大容量記憶體的實現提供了廉價有效的解決方案。nand-flash儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數位相機、***隨身聽記憶卡、體積小巧的u盤等。
nand flash和nor flash原理
一、儲存資料的原理
兩種快閃儲存器都是用三端器件作為儲存單元，分別為源極、漏極和柵極，與場效電晶體的工作原理 相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的 電流消耗極小，不同 的是場效電晶體為單柵極結構，而 flash 為雙柵極結構，在柵極與矽襯底之間增加了乙個浮 置柵極。[attach]158 [/attach]
浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化矽材料之間構成的，中間的氮化物就是可以儲存電荷的 電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大於 50 埃，以避免發生擊穿。
二、浮柵的重放電
向資料單元內寫入資料的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程，寫入資料有兩種技術，熱電 子注入(hot electron injection)和 f-n 隧道效應(fowler nordheim tunneling)，前一種是通過源 極給浮柵充電，後一種是通過矽基層給浮柵充電。nor 型 flash 通過熱電子注入方式給浮 柵充電，而 nand 則通過 f-n 隧道效應給浮柵充電。
在寫入新資料之前，必須先將原來的資料擦除，這點跟硬碟不同，也就是將浮柵的電荷放掉， 兩種 flash 都是通過 f-n 隧道效應放電。
三、0 和 1
這方面兩種 flash 一樣，向浮柵中注入電荷表示寫入了'0'，沒有注入電荷表示'1'，所以對 flash 清除資料是寫 1 的，這與硬碟正好相反；
對於浮柵中有電荷的單元來說，由於浮柵的感應作用，在源極和漏極之間將形成帶正電的空 間電荷區，這時無論控制極上有沒有施加偏置電壓，電晶體都將處於 導通狀態。而對於浮 柵中沒有電荷的電晶體來說只有當控制極上施加有適當的偏置電壓，在矽基層上感應出電 荷，源極和漏極才能導通，也就是說在沒有給控制極施 加偏置電壓時，電晶體是截止的。 如果電晶體的源極接地而漏極接位線，在無偏置電壓的情況下，檢測電晶體的導通狀態就可 以獲得儲存單元中的資料，如果位線上的電平為低，說明電晶體處於 導通狀態，讀取的數 據為 0，如果位線上為高電平，則說明電晶體處於截止狀態，讀取的資料為 1。由於控制柵 極在讀取資料的過程中施加的電壓較小或根本不施加 電壓，不足以改變浮置柵極中原有的 電荷量，所以讀取操作不會改變 flash 中原有的資料。
四、連線和編址方式
兩種 flash 具有相同的儲存單元，工作原理也一樣，為了縮短訪問時間並不是對每個單元 進行單獨的訪問操作，而是對一定數量的訪問單元進行集體操作， nand 型 flash 各存 儲單元之間是串聯的，而 nor 型 flash 各單元之間是併聯的；為了對全部的儲存單元有 效管理，必須對儲存單元進行統一編址。
nand 的全部儲存單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是 512byte，就是 512 個 8 位數，就是說每個頁有 512 條位線，每條位線下 有 8 個儲存單元；那麼每頁儲存的數 據正好跟硬碟的乙個扇區儲存的資料相同，這是設計時為了方便與磁碟進行資料交換而特意 安排的，那麼塊就類似硬碟的簇；容 量不同，塊的數量不同，組成塊的頁的數量也不同。 在讀取資料時，當字線和位線鎖定某個電晶體時，該電晶體的控制極不加偏置電壓，其它的 7 個都加上偏置電壓 而導通，如果這個電晶體的浮柵中有電荷就會導通使位線為低電平， 讀出的數就是 0，反之就是 1。
nor 的每個儲存單元以併聯的方式連線到位線，方便對每一位進行隨機訪問；具有專用的 位址線，可以實現一次性的直接定址；縮短了 flash 對處理器指令的執行時間。 五、效能
nand flash和nor flash的區別
一、nand flash和nor flash的效能比較
flash快閃儲存器是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除nor器件時是以64～128kb的塊進行的，執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除nand器件是以8～32kb的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時)，更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、nor的讀速度比nand稍快一些。
2、nand的寫入速度比nor快很多。
3、nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、nand flash和nor flash的介面差別
nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
三、nand flash和nor flash的容量和成本
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了**。
nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。
四、nand flash和nor flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時乙個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說，flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。
五、nand flash和nor flash的壽命(耐用性)
在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，乙個位元位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在乙個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器，nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候，同時使用
七、edc/ecc演算法
這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。
nand器件需要對介質進行初始化掃瞄以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於nor的快閃儲存器，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行**。
由於需要i/o介面，nand要複雜得多。各種nand器件的訪問方法因廠家而異。在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向nand器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
十、軟體支援
當討論軟體支援的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟**和快閃儲存器管理演算法的軟體，包括效能優化。
在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援，在nand器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式(mtd)，nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些，許多廠商都提供用於nor器件的更高階軟體，這其中包括m-system的trueffs驅動，該驅動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所採用。
驅動還用於對diskonchip產品進行**和nand快閃儲存器的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
nand flash啟動和nor flash啟動
1 nor flash啟動 cpu看到的0位址是在nor flash上 1 把bootloader燒寫在nor flash的0位址 2 上電時，從nor flash的0位址開始執行。3 比較大時需重定位，重定位時，把 從nor flash 複製到sdram上的鏈結位址 程式執行時應該位於的地方 2 ...
nand flash和nor flash啟動區別
1 介面區別 nor flash位址線和資料線分開，來了位址和控制訊號，資料就出來。nand flash位址線和資料線在一起，需要用程式來控制，才能出資料。通俗的說，就是光給位址不行，要先命令，再給位址，才能讀到nand的資料。而且都是在乙個匯流排完成的。結論是 arm無法從nand直接啟動。除非裝...
NANDFLASH 和NORFLASH的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升...