SDRAM時序分析 基於signalTapII

2021-08-20 06:22:35 字數 2311 閱讀 4872

sdram時序分析-基於signaltapii

背景:利用fpga驅動sdram,本篇是時序**部分,理論理解詳見上傳檔案;

修改部分:

1、重新整理周期:改為64ms/(2^13)=7.8125us

2、讀命令的啟動條件:sdram初始化完成後啟動

3、sdram讀出的資料寫入到fifo中的寫入請求訊號提前乙個時鐘使能;

4、初始化階段的預充電指令指令對所有bank充電,即此時的a[10]改為1;

測試條件:

à突發讀寫,每次的突發長度為256,其中資料的取值為1~640;

àsdram的行位址為13位,列位址為9位,4個bank,資料寬度為16位;

àsdram控制器時鐘為100mhz,相位為0;sdram晶元時鐘為100mhz,時鐘相角為-90°,à但由於signaltapii的取樣始終只有200mhz,所以採回來的時鐘訊號相位差沒有體現出來,具體表現在下面的時序圖中,時鐘的下降沿為sdram控制器有效邊沿(原對應100mhz,相位為0),上公升沿為sdram晶元的時鐘有效沿(100mhz,時鐘相角為-90°),分析時序圖時這點需要注意一下;

à每次突發傳輸結束後沒有使用突發終止命令而使用了預充電指令;

初始化階段:

200us穩定期à1個預充電à8個重新整理周期à模式暫存器設定

寫資料階段:

綠色畫線部分為第乙個寫入的資料1,第二幅中綠色畫線部分為寫入的最後乙個資料256;

紫色為預充電指令,關閉了正在操作的行;

將資料寫入sdram時,必須提前乙個時鐘將資料從fifo裡面讀出來,然後在寫入命令觸發的同時寫入第乙個資料到sdram,需要注意的是sdram控制器的時鐘有效沿為下降沿,sdram晶元的輸入時鐘為上公升沿,資料的寫入和讀出都是在sdram晶元的輸入時鐘的上公升沿;(原本sdram控制器的時鐘為上公升沿有效,sdram晶元的輸入時鐘為-90度,可能由於取樣時鐘只有200mhz的緣故,所以顯示的時鐘有效沿為上述所示)

上圖出現了乙個問題,暫時沒有想明白,

sdram_data和q

為wire

連線關係,理論上

sdram_data

應該隨q

隨時變化,但是我們可以看出他們之間慢了乙個週期,暫時沒找到原因,後續;

讀資料階段:

先看乙個錯誤的例子:

由於寫入fifo的寫資料請求訊號晚乙個週期,所以當st=8時的下降沿才會寫入第乙個資料258,結果導致sdram讀出的第乙個資料257沒有被寫入fifo,將寫入fifo中的資料寫請求訊號提前乙個時鐘週期後的時序圖如下;

改正後的時序圖分析:st=7的上公升沿sdram晶元輸出第乙個資料257,之後的下降沿將資料寫入fifo(read端)中,st=7+256-1=262的上公升沿sdram晶元輸出最後乙個資料256,之後的下降沿將資料寫入fifo(read端)中,符合預期要求;

將突發傳輸中末尾的預充電指令換成突發終止指令:

寫時序圖:

讀時序圖:

突發終止指令均在256個資料傳輸完成後第乙個時鐘有效,符合sdram的突發傳輸時序要求,從sdram裡面讀出來的資料正常,則說明寫入資料到sdram中的操作過程正常,但是vga顯示出來的影象有少許隨機橫向窄條紋干擾,不知道是啥原因,下一步測試應該將從sdram讀出的所有資料都通過串列埠列印出來進行分析,後續;

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