上一講我們介紹了gan材料的自發極化效應，本講我們繼續介紹與之對應的壓電極化效應。壓電極化效應是由兩種材料之間的晶格失配引起的。
當在一種材料襯底上外延生長另外一種晶格常數不匹配的材料時，如果兩種材料晶格常數間差異很小且外延層的厚度不超過臨界值時，仍然可以獲得晶格匹配的異質結。此時，外延層為適配襯底的晶格常數將會在平行於橫截面的方向產生拉伸應變或壓縮應變，垂直於橫截面方向的晶格也將產生相應應變。
algan材料晶格常數介於aln與gan之間，當在gan襯底上生長algan時，algan材料橫向將會受到拉伸應力的作用，algan材料縱向將會受到壓縮，使得材料本身不重合的正電中心與負電中心的距離進一步增加，產生了壓電極化效應。壓電極化電場方向與壓電極化方向如上圖所示。其餘異質結壓電極化分析同理。
從中，我們可總結出規律，由拉伸應變產生的壓電極化方向與自發極化方向相同，而由壓縮應變產生的壓電極化方向與自發極化方向相反。希望今天的分享對大家有所幫助。
漲知識啦 20200802
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