一﹑首先對mos管的vd進行分段：
ⅰ，輸入的直流電壓vdc；
ⅱ，次級反射初級的vor；
ⅲ，主mos管vd餘量vds；
ⅳ，rcd吸收有效電壓vrcd1。
二﹑對於以上主mos管vd的幾部分進行計算：
ⅰ，輸入的直流電壓vdc。
在計算vdc時，是依最高輸入電壓值為準。如寬電壓應選擇ac265v，即dc375v。
vdc＝vac *√2
ⅱ，次級反射初級的vor。
vor是依在次級輸出最高電壓,整流二極體壓降最大時計算的，如輸出電壓為：5.0v±5%(依vo =5.25v計算)，二極體vf為0.525v(此值是在1n5822的資料中查詢額定電流下vf值)．
vor＝(vf +vo)*np/ns
ⅲ，主mos管vd的餘量vds．
vds是依mos管vd的10%為最小值．如ka05h0165r的vd=650應選擇dc65v．
vds＝vd* 10%
ⅳ，rcd吸收vrcd．
mos管的vd減去ⅰ，ⅲ三項就剩下vrcd的最大值。實際選取的vrcd應為最大值的90%(這裡主要是考慮到開關電源各個元件的分散性，溫度漂移和時間飄移等因素得影響)。
vrcd＝(vd-vdc -vds)*90%
注意：① vrcd是計算出理論值，再通過實驗進行調整，使得實際值與理論值相吻合．
② vrcd必須大於vor的1.3倍．(如果小於1.3倍，則主mos管的vd值選擇就太低了)
③ mos管vd應當小於vdc的2倍．(如果大於2倍，則主mos管的vd值就過大了)
④ 如果vrcd的實測值小於vor的1.2倍，那麼rcd吸收迴路就影響電源效率。
⑤ vrcd是由vrcd1和vor組成的
ⅴ，rc時間常數τ確定．
τ是依開關電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個開關電源週期。
三﹑試驗調整vrcd值
首先假設乙個rc引數，r=100k/rj15, c="10nf/1kv"。再上市電，應遵循先低壓後高壓，再由輕載到過載的原則。在試驗時應當嚴密注視rc元件上的電壓值，務必使vrcd小於計算值。如發現到達計算值，就應當立即斷電，待將r值減小後，重複以上試驗。(rc元件上的電壓值是用示波器觀察的，示波器的地接到輸入電解電容「＋」極的rc一點上，測試點接到rc另一點上)
乙個合適的rc值應當在最高輸入電壓，最重的電源負載下，vrcd的試驗值等於理論計算值。
四﹑試驗中值得注意的現象
輸入電網電壓越低vrcd就越高，負載越重vrcd也越高。那麼在最低輸入電壓，重負載時vrcd的試驗值如果大於以上理論計算的vrcd值，是否和(三)的內容相矛盾哪？一點都不矛盾，理論值是在最高輸入電壓時的計算結果，而現在是低輸入電壓。
重負載是指開關電源可能達到的最大負載。主要是通過試驗測得開關電源的極限功率。
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