mosfet（metal oxide semiconductor field effect transistor）全稱金屬-氧化物半導體場效應電晶體。
首先以我們最常用的n溝道增強型mosfet進行分析
電氣符號如上圖所示
總共有三個電極s（source）源極，d（drain）漏極，g（grid）柵極，如圖所示，其中p區是乙個雜誌濃度低的p型矽材料作為襯底，其上有兩處高摻雜的n型區域，分別通過金屬鋁（圖中棕黃色）引出作為漏極和源極，通常將襯底和源極接在一起使用。相互隔離的兩個n區的表面覆蓋有金屬氧化物sio2絕緣層，柵極與其他兩個電極被絕緣開來，因此該結構稱之為絕緣柵型。
當外部不加電壓時，內部可視為兩個反向的pn結，無法導電；當gs兩端施加乙個電壓ugs>0時，對於p型襯底，靠近柵極g的空穴因為外電場的作用移動到下方，上方留下了很多自由電子，當增大到某乙個值ugs（th）時，此時外電場增強到吸引的電子數超過該處的空穴數以後（所以稱之為增強型），與左右兩邊的高摻雜n區一起，形成了乙個電子的導電溝道（所以稱之為n型），如下圖所示。此時如果uds間加正向電壓則將產生漏極電流。
p型襯底和漏極n區相當於乙個pn結，因此mos都帶有反向寄生二極體，p型襯底和源極n去短接，因此這裡的pn結不存在。
用作開關管時mos管工作於可變電阻區，此時mos管外特性可等效為乙個很小的電阻，電阻大小受gs兩端電壓控制，要是mos管工作於可變電阻區需要對外電路進行分析，一般應外加柵源電壓vgs大於外電路負載線與最小電阻線交點所確定的臨界柵源電壓ugs（th）（具體可見陳堅電力電子學第三版p45）
igbt（insulated gate bipolar transistor）全稱絕緣門極雙極型電晶體。是由bjt(雙極結型三極體)和mosfet(絕緣柵型場效電晶體)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。電路符號如下圖所示。
igbt也有三個電極，柵極g、發射極e和集電極c，其簡化等效電路如下所示，可以看成乙個n溝道mosfet和pnp型電晶體以達林頓形式復合而成。
當uge=0時，mosfet管內無導電溝道，mosfet處於斷態，ic=0，；當uge>0時，提供了電晶體的基極電流id，控制了igbt集電極電流ic，當uge足夠大時，t1飽和導通，igbt進入通態。
兩者都屬於電壓控制型器件。
mosfet通、斷驅動控制功率很小，開關速度快，但是通態壓降大，導通損耗大，難以製成高壓大電流器件。
電力電晶體bjt通、斷驅動控制功率很大，開關速度不夠快，但通態壓降小，可以製成較高電壓和較大電流的開關元件。
因此igbt結合了兩者的優點：高輸入阻抗，電壓控制、驅動功率小，開關速度快，工作頻率一般小於mosfet大於電力電晶體，可達到10-40khz。
應用場景
mosfet：高頻低壓小功率
igbt：中低頻高壓大功率
一般igbt的驅動電壓比mos管高一些
IGBT最基礎的東西
igbt insulated gate bipolar transistor 絕緣柵 雙極型電晶體 是由bjt 雙極型三極體 和mos 絕緣柵型場效電晶體 組成的復合全控型 電壓驅動式功率半導體 器件,具有功率 mosfet 的高速效能與雙極的低電阻效能 兩方面的優點。igbt 驅動功率小而飽和壓降...
MOSFET的主要引數
2.交流引數 3.極限引數 4.其他 使漏源電壓為某一固定值，不斷增大柵源電壓，使i di d id 逐漸增大至某一微小電流時的電壓即為開啟電壓。因為當柵源電壓小於開啟電壓時，電流過小，可以認為漏源之間沒有導通。增強型fet的引數 使漏源電壓為某一固定值，不斷增大柵源電壓，使i di d id 逐漸...
MOSFET 的 I V 特性曲線
mu c 是乙個常數，與工藝相關，單位 a v 2 延伸 2 epsilon times epsilon 在 v v v 時，i 達到峰值 而當 v 2 v v 則 特性曲線會更加接近直線，不考慮 v 2 則有 此時稱為深三極體區，如乙個可控的線性電阻，導通電阻為 飽和區顧名思義 i 不再增大，但實...