\]\(\mu_ c_\) 是乙個常數，與工藝相關，單位 \(a / v^2\)
延伸 2
\(\epsilon_ = \times \epsilon_}\)
在 \(v_ = v_ - v_\) 時，\(i_\) 達到峰值：
而當 \(v_ << 2(v_ - v_)\) ，則\(\)特性曲線會更加接近直線，不考慮 \( v_^2\)，則有：
此時稱為深三極體區，如乙個可控的線性電阻，導通電阻為：
飽和區顧名思義 \(i_\) 不再增大，但實際還是會增大的，只是 \(i_\) 隨著 \(v_\) 的變化會變得非常緩慢而相對恆定。
\]隨著 \(v_\) 繼續增大反型層會在達到 drain 端前終止，表現為 \(l_ < l\)。
電容的頻率特性曲線
電容 電容 capacitance 亦稱作 電容量 是指在給定電位差下的電荷儲藏量，記為c，國際單位是法拉 f 一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。電容表示符號 如上圖所示，前面表示電容的符號 無...
貝塞爾曲線的特性總結
1.在貝塞爾曲線中，只有起點和終點在曲線上，其他點均為調整曲線形狀和結束的控制點 2.貝塞爾曲線通過起始點和終止點，並與起始點和終止點的折線相切，在對自車路徑規劃過程中可根據曲線的起始點和終止點的切線方向確定自車起始點姿態和目標點姿態 3.至少需要三階貝塞爾曲線 四個控制點 才能生成曲率連續的路徑 ...
MOSFET的主要引數
2.交流引數 3.極限引數 4.其他 使漏源電壓為某一固定值，不斷增大柵源電壓，使i di d id 逐漸增大至某一微小電流時的電壓即為開啟電壓。因為當柵源電壓小於開啟電壓時，電流過小，可以認為漏源之間沒有導通。增強型fet的引數 使漏源電壓為某一固定值，不斷增大柵源電壓，使i di d id 逐漸...