SDRAM原理 1 模組與基本結構

2021-04-25 01:17:03 字數 2631 閱讀 3435

我們平時看到的

sdram

都是以模組形式出現,為什麼要做成這種形式呢?這首先要接觸到兩個概念:物理

bank

與晶元位寬。

1、物理bank

傳統記憶體系統為了保證

cpu的正常工作,必須一次傳輸完

cpu在乙個傳輸週期內所需要的資料。而

cpu在乙個傳輸週期能接受的資料容量就是

cpu資料匯流排的位寬,單位是

bit(位)。當時控制記憶體與

cpu之間資料交換的北橋晶元也因此將記憶體匯流排的資料位寬等同於

cpu資料匯流排的位寬,而這個位寬就稱之為物理

bank

(physical bank

,下文簡稱

p-bank

)的位寬。所以,那時的記憶體必須要組織成

p-bank

來與cpu

打交道。資格稍老的玩家應該還記得

pentium

剛上市時,需要兩條

72pin

的simm

才能啟動,因為一條

72pin -simm

只能提供

32bit

的位寬,不能滿足

pentium

的64bit

資料匯流排的需要。直到

168pin-sdram dimm

上市後,才可以使用一條記憶體開機。下面將通過晶元位寬的講述來進一步解釋

p-bank

的概念。

不過要強調一點,

p-bank

是sdram

及以前傳統記憶體家族的特有概念,在

rdram

中將以通道(

channel

)取代,而對於像

intel e7500

那樣的並髮式多通道

ddr系統,傳統的

p-bank

概念也不適用。

2、晶元位寬

以上就是晶元位寬、晶元數量與

p-bank

的關係。

p-bank

其實就是一組記憶體晶元的集合,這個集合的容量不限,但這個集合的總位寬必須與

cpu資料位寬相符。隨著計算機應用的發展,乙個系統只有乙個

p-bank

已經不能滿足容量的需要。所以,晶元組開始可以支援多個

p-bank

,一次選擇乙個

p-bank

工作,這就有了晶元組支援多少(物理)

bank

的說法。而在

intel

的定義中,則稱

p-bank

為行(row

),比如

845g

晶元組支援

4個行,也就是說它支援4個

p-bank

。另外,在一些文件中,也把

p-bank

稱為rank

(列)。

回到開頭的話題,

dimm

是sdram

集合形式的最終體現,每個

dimm

至少包含乙個

p-bank

的晶元集合。在目前的

dimm

標準中,每個模組最多可以包含兩個

p-bank

的記憶體晶元集合,雖然理論上完全可以在乙個

dimm

上支援多個

p-bank

,比如sdram dimm就有4

個晶元選擇訊號(

chip select

,簡稱片選或

cs),理論上可以控制4個

p-bank

的晶元集合。只是由於某種原因而沒有這麼去做。比如設計難度、製造成本、晶元組的配合等。至於

dimm

的面數與

p-bank

數量的關係,在

2023年2

月的專題中已經明確了,面數≠

p-bank

數,只有在知道晶元位寬的情況下,才能確定

p-bank

的數量,大度

256mb

記憶體就是明顯一例,而這種情況在

registered

模組中非常普遍。有關記憶體模組的設計,將在後面的相關章節中繼續**。

上文已經講到

sdram

記憶體系統必須要組成乙個

p-bank

的位寬,才能使

cpu正常工作,那麼這個

p-bank

位寬怎麼得到呢?這就涉及到了記憶體晶元的結構。

每個記憶體晶元也有自己的位寬,即每個傳輸週期能提供的資料量。理論上,完全可以做出乙個位寬為

64bit

的晶元來滿足

p-bank

的需要,但這對技術的要求很高,在成本和實用性方面也都處於劣勢。所以晶元的位寬一般都較小。台式電腦市場所用的

sdram

晶元位寬最高也就是

16bit

,常見的則是

8bit

。這樣,為了組成

p-bank

所需的位寬,就需要多顆晶元併聯工作。對於

16bit

晶元,需要4顆(

4×16bit=64bit

)。對於

8bit

晶元,則就需要

8顆了。

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