2023年nand快閃儲存器市場會有何變化？以下是來自barclays capital的七大趨勢分析：
1、nand之年
2023年將可能成為nand快閃儲存器年。雖然大多數nand產品都為30nm左右，但20nm左右的nand更具有競爭力。nand快閃儲存器得益於兩大廠商控制的75%市場，即三星（佔40%）和東芝/sandisk（佔33%）的共同壟斷。2023年，nand的資本支出將有可能首次超過dram的資本支出。
2、「蘋果」效應
3、三星：領導者，追隨者
總體而言，所有廠商都將轉移至各種形式的20nm。三星的27nm、美光的25nm、東芝的24nm和 hynix的26nm。
三星無疑是乙個生產盈利的領導廠商，但在nand技術方面卻未必處於領先的前沿地位。三星最近才成為多層單元製造隊伍中新隊員。而不久之後三星已經能夠製造3xnm和2xnm節點的nand晶元。三星還將在2023年製造27奈米節點，以給3xnm節點減少35%的成本。三星預計2023年底3xnm和以下幾何尺寸將佔80%。
4、感謝東芝
這場興起的快閃儲存器風背後源於東芝的停電事故，在2023年第一季度的停產。臨時的停電又出現了，這一次還是東芝。儘管影響不是很大，不過它將有助於2023年一月和二月的**穩定，這很可能是因為生產線上有20%的產品在一定程度上受到了停電的影響。
5、東芝平板電腦？
東芝目前正在大力增加32奈米/24奈米，也將發布自己的平板電腦。東芝在2023年8月已經開始生產24奈米naad快閃儲存器晶元。此外，他還於2023年 7月開始興建了y5廠房，並將於春節完成。但有點需要明確，與英特爾450mm d1x晶圓廠不同的是，該設施還不具備支援euv工具的技術能力。
6、海力士的復活
很長一段時間，海力士曾被產量問題所困擾，例如6xnm和4xnm節點。但最近他們的產量有大幅的提公升，且接近了3xnm 和2xnm的領導地位，逆境求生的本能和良好的管理帶來了奇蹟。
海力士將在相當短的時間過渡至3xnm，繼而再轉向至2x nm。海力士目前僅有一座十二英吋廠m11，2023年度海力士有可能達到30kwsp的能力。但根據其較弱的資產負債表，海力士還需要大力確保追加資本。
7、美光增長
美光2011財年資產最近達到了24～29億美元的範圍，其中新加坡imfs 的nand增長份額佔據了三分之二。美光計畫在2023年低將提公升60% imfs的100kwspm潛在能力。最近美光將其在imfs（美光和英特爾合資建立）中所佔股份從50%提公升到了71%。imfs現在利用的是2位 mlc，有可能使用由東芝和三星共同開發的更好的3位mlc。美光預計在2023年第一季度會交叉25-nm。
NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
分類 1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。...
NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
分類 1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。...
NOR與NAND快閃儲存器比較
nor flash nand flash onenand flash 位址線和資料線分開 介面時序同 sram,易使用 位址 資料線復用，資料位較窄 onenand 可看作nor 和nand 技術的一種混合。從本質上來講，乙個單獨的 onenand 晶元整合了乙個 nor快閃儲存器介面，nand 快...